本發明提出一種電遷移失效的剩余壽命預測方法,包括步驟:建立MOS器件的電遷移壽命模型;根據預設的正常工作條件下的電流密度和第一環境溫度,以及電遷移壽命模型,獲取正常電遷移失效的壽命T1;根據目標預兆點T2和第二環境溫度,以及電遷移壽命模型,獲取電流密度應力;將電流密度應力輸入基于預兆單元的MOS器件電遷移失效預警電路;若基于預兆單元的MOS器件電遷移失效預警電路經過時間T3后輸出高電平,則根據T1、T2以及T3,獲取對應T2的電遷移失效的剩余壽命。本發明還提出一種電遷移失效的剩余壽命預測裝置,可以提高預測MOS器件電遷移失效剩余壽命的可靠性,提高預測效率,降低成本。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)