本發明提供的一種監測SRAM存儲區通孔對準失效的測試結構,包括第一測試單元和/第二測試單元;所述第一測試單元用于測試SRAM存儲區的通孔是否發生橫向漂移;以及所述第二測試單元用于測試SRAM存儲區的通孔是否發生縱向漂移。本發明通過第一測試單元判斷出通孔是否發生橫向漂移,可以檢測SRAM存儲區的通孔中形成的鎢插塞是否連通了上層金屬層和下層金屬層,和/或,通過第二測試單元可以判斷出通孔是否發生縱向漂移,可以檢測SRAM存儲區的通孔中形成的鎢插塞是否連通了上層金屬層和下層金屬層,從而監測SRAM存儲區通孔是否對準失效。
聲明:
“監測SRAM存儲區通孔對準失效的測試結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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