本發明提供一種焊球失效的球柵陣列封裝中近場測量值的預測方法及系統,屬于芯片封裝領域。所述方法包括:通過仿真分析得到焊球失效的球柵陣列封裝的輻射場;建立近場測量的等效電路模型;根據所述等效電路模型和所述輻射場計算所述等效電路模型的輸出電壓。本發明提供的預測方法能夠快速準確的預測得到焊球失效的球柵陣列封裝近場磁場的輸出電壓和近場電場的輸出電壓,為判斷焊球失效對球柵陣列封裝的輻射場影響提供數據依據。該預測方法準確有效,不需要搭建暗室,降低測量成本,降低近場測量值的測量誤差。
聲明:
“焊球失效的球柵陣列封裝中近場測量值的預測方法及系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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