本發明公開了一種半導體失效定位測試單元,所述測試單元是位于金屬層中的梳折狀結構,所述測試單元的鍵合線劃分為第一類鍵合線和第二類鍵合線,相鄰的第一類鍵合線之間通過第二類鍵合線連接,所述第一類鍵合線的長度大于第二類鍵合線,其中,所述第一類鍵合線設置在金屬層一中,所述第二類鍵合線設置在金屬層二中,所述金屬層一和金屬層二是不同的金屬層。本發明還公開了一種半導體失效定位方法。本發明的半導體失效定位測試單元及其失效定位方法使用現有失效定位分析儀器能快速、準確抓取故障點(熱點/Hot?Spot)位置的半導體失效定位測試單元。
聲明:
“半導體失效定位測試單元及其失效定位方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)