本發明公開一種基于失效物理模型的多芯片組件可靠性分析方法,通過將失效模式與多芯片組件的結構材料等性能參數相關聯,建立了一種從多芯片組件失效本質出發的可靠性分析方法;提供一套多芯片組件失效物理分析的規范化流程,該方法實施時并不是依托可靠性壽命數據,而是從多芯片組件的工藝參數信息、材料信息、加工制造、實際使用情況出發進行分析,可有效避免壽命數據不足的難點,減少成本;并且本申請方法從多芯片組件失效的本質出發,刻畫產品的失效,為優化多芯片組件結構設計、材料、制造工藝等提供可靠建議,可相對準確地找出產品可靠性薄弱環節,進而得到了與實際情況更為符合的分析結果。
聲明:
“基于失效物理模型的多芯片組件可靠性分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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