本發明涉及集成電路的失效分析技術領域,且公開了一種三維存儲器失效分析樣品制備方法,包括以下步驟:步驟一、對封裝進行電測試,根據電測試結果確認失效位置,并記錄下失效的log,使用封裝開封技術去除待分析芯片上方的塑封料(EMC)及芯片。本發明利用實時圖像采集及拼接技術,將真實芯片與設計圖紙進行比對,并進行位置修正,確定失效精確位置后,縮小目標區域,通過階梯開口方式,精確掌握垂直層數,最終實現快速定位及分析,通過對實際芯片的位置修正和定位,能夠更準確及快速的實現失效位置確定,大大縮減了誤判的發生率,并且由于定位準確,失效目標區域可以盡可能縮小,提高了分析操作效率。
聲明:
“三維存儲器失效分析樣品制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)