一種在集成電路芯片失效分析過程中去除層次的方法,用于暴露具有多層結構的集成電路芯片的至少一預設目標層,其中,目標層中包含需檢測的目標樣品,其包括如下步驟:采用截面研磨的方式,選取集成電路芯片的一個截面作為被研磨截面,將被研磨截面研磨至最終停止截面;將被研磨出截面的芯片樣品,放入聚焦離子束裝置的工藝腔中,并將研磨出的截面與聚焦離子束發射方向相對設置,以使預設的目標層與聚焦離子束發射方向相平行;使用聚焦離子束,從集成電路芯片的表面層開始去除預設目標層之上的各層次;通過對聚焦離子束中的電子束的檢測,選擇停留在預設目標層表面。因此,本發明獲得很好的層次去除效果。
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