本發明提供一種半導體激光器芯片失效分析方法,目的是解決現有方法難以準確分析和判斷半導體激光器芯片失效原因的問題。該方法包括:步驟一、物理缺陷檢查;步驟二、光電性能測試;步驟三、腔面光場分布測試;步驟四、掃描電子顯微鏡分析;步驟五、內部分析;步驟六、焊接質量分析。本發明方法是一種逐層遞進、由外及內的失效分析方法,可快速找出COS芯片失效的原因及失效的深層機理。
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