本實用新型公開了一種用于碲鎘汞器件增透膜層生長的裝置,所述裝置包括:靶材,安裝在增透膜層生長腔室的底部,并通過匹配箱與射頻電源連接;樣品托,安裝在增透膜層生長腔室的頂部,所述樣品托上設置有具有樣品槽的內嵌式樣品盤,所述樣品槽外部設置有壓片,所述壓片中間設置有孔,孔的形狀、大小與碲鎘汞器件需要鍍膜的區域一致,且所述壓片上的孔與所述靶材上下對正。本實用新型通過上述裝置對碲鎘汞器件進行增透膜層生長,由于設置有壓片,在需要保護的讀出電路沒有生長上增透膜層,保證了器件的電學連通,并且沒有對探測器器件產生附加損傷,達到了良好的無損傷生長目的。
聲明:
“用于碲鎘汞器件增透膜層生長的裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)