本發明公開了一種基于非單晶襯底的單晶氮化物Micro?LED陣列的制備方法。本發明通過制備二維材料掩膜層,得到位錯密度低于1×109 cm?2的位錯過濾層,并進一步得到位錯密度低于1×108 cm?2的單晶氮化物薄膜,能夠在大晶格失配且大熱膨脹系數失配的非單晶襯底上實現超高質量的單晶氮化物功能結構,除能夠用于制備Micro?LED器件,還能夠擴展用于制備射頻器件、功率器件、發光器件和探測器件等,具有工藝普適性;采用激光破壞外延結構與非單晶襯底的界面結合,能夠實現外延結構的無損分離和非單晶襯底的多次重復利用,節能環保、工藝簡單并適于批量生產。
聲明:
“基于非單晶襯底的單晶氮化物Micro-LED陣列的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)