合肥金星智控科技股份有限公司
宣傳

位置:中冶有色 >

有色技術頻道 >

> 無損檢測技術

> 測量及表征半導體器件陷阱參數的方法

測量及表征半導體器件陷阱參數的方法

1070   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 08:58:38
一種測量及表征半導體器件陷阱參數的方法涉及半導體器件可靠性領域。當GaN基HEMT器件柵極處以某一偏壓下,在其漏源端加上恒定的電壓,其漏極電流會隨著時間變化。在較低的功率下,自熱效應的影響可以忽略,而此時漏源電流的變化完全由陷阱及缺陷引起,因此,對漏源電流的變化進行提取,處理,分析可以得到其中包含的陷阱及缺陷的相關參數信息。根據這一特性,提出了一種陷阱的RC網絡等效模型,并可以測量出陷阱種類數,時間常數大小,俘獲電量等參數,測量過程簡便,快捷,無損,能夠獲得器件陷阱參數的信息及其變化。
登錄解鎖全文
聲明:
“測量及表征半導體器件陷阱參數的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
分享 0
         
舉報 0
收藏 0
反對 0
點贊 0
標簽:
無損檢測
全國熱門有色金屬技術推薦
展開更多 +

 

中冶有色技術平臺

最新更新技術

報名參會
更多+

報告下載

赤泥綜合利用研究報告2025
推廣

熱門技術
更多+

衡水宏運壓濾機有限公司
宣傳
環磨科技控股(集團)有限公司
宣傳

發布

在線客服

公眾號

電話

頂部
咨詢電話:
010-88793500-807
專利人/作者信息登記
在线精品视频播放|无码 有码 国产18p|宅男精品一区在线观看|伊人色综合久久天天人手人婷|亚洲熟肥妇女BBXX