一種測量及表征半導體器件陷阱參數的方法涉及半導體器件可靠性領域。當GaN基HEMT器件柵極處以某一偏壓下,在其漏源端加上恒定的電壓,其漏極電流會隨著時間變化。在較低的功率下,自熱效應的影響可以忽略,而此時漏源電流的變化完全由陷阱及缺陷引起,因此,對漏源電流的變化進行提取,處理,分析可以得到其中包含的陷阱及缺陷的相關參數信息。根據這一特性,提出了一種陷阱的RC網絡等效模型,并可以測量出陷阱種類數,時間常數大小,俘獲電量等參數,測量過程簡便,快捷,無損,能夠獲得器件陷阱參數的信息及其變化。
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