本發明公開了一種基于二維材料/絕緣層/半導體結構的寬光譜光電探測器,包括柵極、半導體襯底、絕緣層、二維材料薄膜、源極與漏極,二維材料薄膜上表面水平間隔布置有漏極與源極;半導體襯底的底部設有異質結。入射光照射到器件表面時,被半導體襯底和異質結吸收,產生的少數載流子注入積累到由脈沖柵壓形成的襯底深耗盡勢阱中。由于二維材料的特殊性質,其通過電容耦合有效收集載流子,輸出光電流的信號,實現隨機、無損和高速讀出;本發明可有效擴寬光電探測器的光譜響應范圍,實現從紫外光、可見光到紅外光的寬光譜探測,同時改變了傳統電荷耦合器件的讀出方式,提高系統的響應速度和可靠性。
聲明:
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