本發明一種提高GaN基LED芯片外觀良率的測試方法。該方法是將異方性導電膜電氣導通的Z方向垂直于芯片表面放置在芯片電極上,在異方性導電膜無需與芯片電極對位的情況下實現測試探針與所述芯片電極的非接觸電連接,進行LED芯片測試。本發明在LED芯片測試中引入異方性導電膜,利用其不同維度導電性能的差異,實現測試針與芯片電極的非接觸測量,達到無損測試、提高GaN基LED芯片外觀良率的要求。
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