本申請公開了一種存儲層薄膜厚度測量方法,該方法通過在非存儲器件的層疊結構上蝕刻形成存儲層厚度測量槽,將3D?NAND存儲器的存儲層薄膜厚度的測量轉換為厚度測量槽內的存儲層薄膜厚度的測量,因厚度測量槽內的存儲層薄膜厚度可以通過橢偏光譜儀完成測量,而利用橢偏光譜儀測量薄膜厚度的技術為非破壞性無損測量技術,從而實現對3D?NAND存儲器中的存儲層薄膜厚度的無損快速測量。
聲明:
“用于3D NAND存儲器的存儲層薄膜厚度測量方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)