本發明提供的檢測晶片基底二維形貌的裝置,屬于半導體材料無損檢測技術領域。該檢測晶片基底二維形貌的裝置包括具有與N束激光一一對應N個第一分光片和與N束激光一一對應的N個第二分光片,N個第一分光片和N個第二分光片上分別設有鍍膜區域,鍍膜區域使各分光片形成不同的反射率和透過率,從而通過第一分光片和第二分光片可以入射到樣品上后返回的N束光分成兩個方向,分別進行探測,鍍膜區域反射和透射的性質則根據個第一種反射光束的傳播方向決定,而通過在分光片的不同區域鍍不同性質的鍍膜滿足檢測晶片基底二維形貌的裝置對光路傳播的要求,由于鍍膜精度極高,因此,能夠保證不同傳播方向PSD接收到的光的一致性。
聲明:
“檢測晶片基底二維形貌的裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)