本發明公開了一種基于多對電極電容成像檢測技術判別非導體缺陷深度的方法,涉及無損檢測信號處理領域,包括:接收輸入的多對電極電容成像檢測信號,其中所述檢測信號包含缺陷檢測信號Yn和無缺陷檢測信號YSn;求缺陷信號變化值△Yn=Yn?YSn,并同時判斷缺陷信號變化值△Yn是否大于等于預設閥值Pn;如果否,則判斷缺陷不存在;如果是,則判斷缺陷存在;對缺陷信號Yn對應的橫坐標Xn進行坐標變換,變換后的橫坐標HXn=Xn?dn/2;對缺陷信號Yn進行變換,變換后的縱坐標HYn=Yn./YSn;并根據橫坐標HXn與縱坐標HYn繪制曲線圖;當缺陷所對應曲線圖的波谷個數為1時,確定最大電極對編號Ca;當同一缺陷所對應曲線圖的波谷個數為2時,確定最小電極對編號Cb;則判定此缺陷的深度位于電極對Ca與Cb的有效檢測深度之間。
聲明:
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