本發明提供了一種GaN發光二極管抗輻照能力無損篩選方法及裝置,所述方法包括:獲取隨機子樣器件的輸出光功率Pout和1/f噪聲幅值B;獲取經過輻照實驗后的所述隨機子樣器件的輸出光功率Pout′;基于所述Pout和所述Pout′,計算退化量ΔPout=Pout′?Pout;以所測量的1/f噪聲幅值B作為信息參數,以輸出光功率退化量ΔPout作為輻照性能參數,采用線性回歸法建立B和ΔPout之間的線性回歸方程并計算得到線性回歸方程中的ΔPout和信息參數B的系數向量建立信息參數B和輻照性能參數之間的無損篩選回歸預測方程:利用所述無損篩選回歸預測方程預測單個器件的抗輻照性能。本發明能夠實現在對元器件無損壞的前提下,進行對GaN發光二極管元器件準確、高效的篩選。
聲明:
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