本發明提供了一種肖特基二極管抗輻照能力無損篩選方法及裝置,方法包括:獲取輻照前作為隨機子樣的肖特基二極管的反向漏電流、反向擊穿電壓和噪聲電壓功率譜幅值;獲取經過輻照后的作為隨機子樣的肖特基二極管的反向漏電流;計算輻照前后的反向漏電流退化量;以反向擊穿電壓和噪聲電壓功率譜幅值作為信息參數,以反向漏電流退化量作為輻照性能參數,建立多元線性回歸方程,估計線性回歸方程中的系數向量;建立無損篩選回歸預測方程;利用所述無損篩選回歸預測方程,預測單個器件的抗輻照性能。本發明能夠實現在對肖特基二極管無損壞的前提下,進行對元器件準確、高效的抗輻照能力的測試篩選。
聲明:
“肖特基二極管抗輻照能力無損篩選方法及裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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