本發明公開了一種硅拋光片或外延片層錯及位錯缺陷的無損檢測方法,包括下述步驟:(1)設定表面顆粒測試儀的顆粒直徑測試區間;(2)將待測試的拋光片或外延片放在測試臺上,開始依次測試,并記錄下每個區間的顆粒數據;(3)將顆粒數據進行分檔,然后從顆粒多的檔位開始分別對每個檔位的最高值抽取一片腐蝕看缺陷,直至腐蝕到沒有見缺陷的檔位,記錄這個檔位數值為A;(4)抽測2-3片A檔位的拋光片或外延片,確認未見層錯及位錯缺陷;(5)把A減10設定為分檢層錯及位錯缺陷的標準;(6)檢驗其它的拋光片或外延片,高于標準的標為層錯及位錯缺陷不合格。此方法具有操作簡單快速、對被測樣本無損傷等優點。
聲明:
“硅拋光片或外延片層錯及位錯缺陷的無損檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)