本發明提供了一種具有較小等離子損傷的高密度等離子體沉積方法、以及利用該方法制備的MOS器件;本發明利用富硅二氧化硅其具有抵抗等離子體損傷的特點,將傳統高密度等離子體化學氣相沉積中的富含氧的二氧化硅保護層替換成富含硅的二氧化硅保護層,從而減小了在HDP制程沉積過程中所帶來的等離子體損傷,通過最終的電學性能測試可以看出,利用富含硅的二氧化硅保護層可以起到更好的抵抗等離子體損傷的能力。
聲明:
“較小等離子損傷的高密度等離子體沉積方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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