本發明公開了一種SONOS器件中ONO結構的制造方法,首先采用低壓氧化工藝在硅襯底上形成預設厚度的隧穿氧化層;接著對隧穿氧化層進行摻氮,且摻氮濃度隨著隧穿氧化層的深度逐漸遞減;然后在隧穿氧化層的上方形成用于存儲電荷的氮化硅層;最后采用化學氣相沉積工藝形成阻擋氧化層。本發明在隧穿氧化層中,由于摻氮濃度隨著氧化層深度逐漸遞減,因此使得整體隧穿氧化層能級也呈平緩遞減,當器件處在寫入狀態時,由于能帶在外電場下發生偏轉,從而電子發生隧穿時通過的勢壘區仍與普通SONOS器件相同,從而保證了擦寫速度的要求。同時,在可靠性測試時,需要高溫進行烘烤,由于梯度隧穿層的作用,電子逃逸更難以實現,從而保證了SONOS器件的數據保存能力。
聲明:
“SONOS器件中ONO結構的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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