本發明涉及半導體構件(108),其可由流體的至少一個流體成分加載,其中,所述半導體構件(108)具有一襯底(110)、一電極(114)和一接口(116)。所述襯底(110)由一半導體材料構成。所述襯底(110)在第一側面上具有一襯底觸頭(112)。所述電極(114)布置在所述襯底(110)的第二側面上。所述電極(114)通過一絕緣的化學敏感的層(118)與所述半導體材料(110)電絕緣。所述接口(116)為了測量所述接口(116)和所述襯底觸頭(112)之間的電壓而相對于所述電極(114)側部錯開地布置在所述襯底(110)的第二側面上。所述半導體材料(110)傳導性地摻雜在所述接口(116)的區域中。
聲明:
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