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半導體多孔晶體薄膜傳感器及制備方法

1194   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 08:56:58
本發明涉及一種半導體多孔晶體薄膜傳感器及制備方法,包括襯底和設置在襯底上的致密多孔晶體薄膜,所述致密多孔晶體薄膜是由尖錐狀凸起交聯組成的多孔網格結構,所述尖錐狀凸起的側壁之間構成倒尖錐形狀的倒尖錐孔。本申請的致密多孔晶體薄膜是一次性生長而成,具有制備工藝簡單、比表面積大、且表面活性高等優勢;致密多孔晶體薄膜,是由倒尖錐狀的孔構成,有利于待測樣品進出小孔、并具有大的比表面積;其孔壁為尖錐狀結構,更為結實穩定;選用的氮化物半導體材料屬于第三代半導體材料,具有優異的化學穩定性,如耐酸堿腐蝕,更適用于高可靠性的半導體傳感器。
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