本發明涉及一種半導體多孔晶體薄膜傳感器及制備方法,包括襯底和設置在襯底上的致密多孔晶體薄膜,所述致密多孔晶體薄膜是由尖錐狀凸起交聯組成的多孔網格結構,所述尖錐狀凸起的側壁之間構成倒尖錐形狀的倒尖錐孔。本申請的致密多孔晶體薄膜是一次性生長而成,具有制備工藝簡單、比表面積大、且表面活性高等優勢;致密多孔晶體薄膜,是由倒尖錐狀的孔構成,有利于待測樣品進出小孔、并具有大的比表面積;其孔壁為尖錐狀結構,更為結實穩定;選用的氮化物半導體材料屬于第三代半導體材料,具有優異的化學穩定性,如耐酸堿腐蝕,更適用于高可靠性的半導體傳感器。
聲明:
“半導體多孔晶體薄膜傳感器及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)