本發明涉及金屬外殼密封技術領域,具體涉及一種低溫無壓的傳感器金屬外殼密封方法,首先通過化學處理和Ar等離子體轟擊對金屬外接口進行表面活化,然后將表面活化后的金屬外接口在室溫至150℃低溫度范圍內,在真空環境下以及適當壓力下兩兩之間進行鍵合。本發明為直接鍵合,不需要其他金屬的參與。本發明密封得到的傳感器密封性能好,可在室溫至150℃低溫度范圍鍵合,元器件性能受影響程度低,產品使用壽命長,探測精準;將金屬材料進行鍵和,接觸緊密,密封性能好,且鍵合技術較為成熟,可應用于大規模工業生產。
聲明:
“低溫無壓的傳感器金屬外殼密封方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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