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控制層間介電層膜厚的方法

1082   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 08:56:57
本發明揭示一種控制層間介電層膜厚的方法,其包括如下步驟:在半導體硅片上形成一層二氧化硅介電層,然后在二氧化硅介電層上形成一層拋光停止層,其中拋光停止層的材料為磷硅玻璃(PSG)或硼磷硅玻璃(BPSG),再在拋光停止層上形成一層二氧化硅介電層,然后通過化學機械拋光制程對介電層進行研磨,本發明通過在介電層中間形成一層磷硅玻璃或硼磷硅玻璃的拋光停止層,由于該拋光停止層的硬度與介電層不同,采用終點電流信號偵測的方式拋光至該停止層時能自動停止,拋光后的介電層的膜厚能夠得到準確的控制。
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