本發明提供在類金剛石材料上,利用等離子體增強化學氣相沉積法制備方式,在類金剛石表面進行鍍膜。利用利用雙放電腔微波?ECR等離子體全方位注入設備,采用PECVD技術制備的DLC薄膜能夠達到對薄膜表面改性的目的。PECVD復合技術制備的Si/SiC/DLC梯度薄膜表面光滑致密,缺陷少,由尺寸均勻的納米顆粒組成。薄膜的RMS粗糙度較低,在1.5nm左右變化。利用表面輪廓儀測得梯度薄膜的厚度約為1.2±0.1μm,Si,SiC過渡層厚度大約分別為:80±10nm,100±10nm,150±10nm,200±10nm。
聲明:
“類金剛石薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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