本發明提供了一種氧摻雜單層過渡金屬硫族化合物的制備方法,包括以下步驟:A)將鐵氧化物、金屬前驅體鎢氧化物和氯化鈉混合均勻,得到反應前驅體;B)將步驟A)得到的反應前驅體在高溫下與硫粉進行反應,得到氧摻雜單層過渡金屬硫族化合物。本發明利用鐵氧化物輔助化學氣相沉積法,獲得了高質量單層的氧摻雜二硫化鎢單晶,在光電探測器、光電傳感器等方面有著巨大的應用前景。相對于現有的過渡金屬硫族化合物摻雜方法而言,此方法實現了原位摻雜氧元素,且工藝簡單,易于規?;a。
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