本發明涉及一種溶液法生長氯氧化釤納米晶及其方法,屬于無機三元稀土化合物納米晶材料合成領域。先按照1:(1~10)的摩爾比,將釤源和氯源前驅體分散在溶劑中,經過攪拌達到均勻混合。隨后在保護氣氛下,升溫到200攝氏度以上,通過一定的保溫時間,完成氯氧化釤納米晶的生長。隨后,經過離心分離即可獲得氯氧化釤納米晶。所生長的氯氧化釤納米晶具有完整的長方體形貌,厚度約為20納米,同時,具有很好的單分散性。本發明采用溶液法合成氯氧化釤納米晶,具有反應溫度低,操作簡單,容易控制,所制備的氯氧化釤納米晶純度高,無任何可探測到的雜質相。為進一步研究氯氧化釤納米晶的物理化學性質提供重要的物質平臺。
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