一種降低氫終端金剛石歐姆接觸電阻的方法,屬于金剛石電子器件領域。本發明采用微波等離子體化學氣相沉積,以甲烷、氫氣為反應氣體,在單晶金剛石襯底上外延一層金剛石薄膜,隨后在氫等離子體氛圍中處理,使金剛石表面形成氫終端,之后放置于大氣環境中。然后根據線性傳輸模型,進行光刻工藝,調節飛秒激光器,使激光聚焦在樣品表面以下1μm范圍內,調整激光照射功率、頻率范圍、掃描周期,在氫終端金剛石亞表層產生石墨相。最后采用電子束蒸鍍、熱蒸鍍或磁控濺射制備金屬電極,之后進行快速退火處理,最終制得測試所需的歐姆電極圖案。本發明方法結合了石墨的高電導性來降低金屬與金剛石間的接觸電阻,從而改善了金剛石基電子器件的歐姆接觸特性。
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