揭示了在基片上沉積薄膜用的裝置內的暴露面進行鈍化的方法。沉積室和與之相通管道的內表面經鈍化處理而阻止了在沉積工藝中反應物和反應產物在所述內表面上的吸附或化學吸附。為此目的而進行的表面鈍化處理包括表面處理、襯里、溫度調節或它們的組合。還揭示了一種測量溫度或溫度范圍的方法,該溫度范圍使得表面上反應物和反應產物積聚的量最小。也揭示了在沉積室和氣體流通管道內表面鈍化的沉積裝置。
聲明:
“沉積室表面增強和最后得到的沉積室” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)