一種擴散后不良片的單獨返工方法,步驟包括:將返工片經純水清洗、堿槽清洗、純水清洗、混酸槽清洗、純水清洗、硅片表面的水烘干,流入擴散工序重新擴散,然后清洗去PSGPECVD鍍膜,絲網印刷及高溫爐燒結,最后分選測試即可。本發明不需要重新制絨,能保證小絨面,有效解決亮花紋片的出現,確保成品電池片的外觀及效率;此專利本質上是對不良片的一個分類處理,之前所有的返工片都會制絨,為保證硅片上的臟污清洗掉,高方阻不良片不存在外觀污染的問題,所以不需要制絨,且有效降低化學品用量。
聲明:
“擴散后不良片的單獨返工方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)