本發明公開一種降低半導體設備工藝腔室內金屬污染的方法,該包括在工藝腔室的內壁形成介質層的步驟,其中形成介質層的步驟包括:向工藝腔室中通入第一氣體和第二氣體,并使第一氣體和第二氣體電離形成等離子體并發生化學反應,以在工藝腔室的內壁上沉積形成不含金屬元素的介質層。本發明在工藝腔室的內壁形成介質層,從而起到保護晶圓的作用,使其不會被金屬所污染,從而保證了金屬污染測試的通過率,進而節省大量的機臺閑置時間,提高機臺產能,增加了晶圓上芯片元器件的可靠性,提升器件良率。
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