本發明公開了一種生長在硅襯底上的(100)高度擇優取向的氮化鈦薄膜及其制備方法。采用單面拋光基片作為襯底,將基片放置于旋轉加熱臺面上,蓋上真空腔蓋,抽取本底真空,通入氮氣和氬氣,進行磁控濺射后,停止通入氮氣和氬氣,進行抽真空退火,然后關閉分子泵,待降溫關閉機械泵,打開放氣閥,待旋轉加熱臺面溫度降至常溫時取出樣品;進行磁控濺射時調整濺射薄膜時的溫度、氮氣氬氣流量比例和總流量以及抽真空退火使得最終制成所述氮化鈦薄膜,并通過控制濺射功率、工作電壓和濺射時間控制薄膜的厚度。本發明的氮化鈦薄膜擁有低電阻率和較好的化學穩定性和光學特性,適合作為底電極,也可應用在各類光電探測器中,方法工藝相對簡單。
聲明:
“生長在硅襯底上的(100)高度擇優取向的氮化鈦薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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