本發明公開了一種優化晶體硅太陽能電池PN結的方法,步驟如下:擴散;酸溶液對PN結腐蝕:將擴散后的硅片置于化學清洗機臺中,采用HNO3、HF和DI水的混合溶液對硅片進行腐蝕,所述HNO3∶HF∶DI水的體積比為10∶1∶100, 反應時間為20~60s;PN結堿溶液處理 : 由于酸性腐蝕液對硅片進行酸性腐蝕時,表面會產生薄多孔硅層,需采用KOH和DI水的混合溶液對其清洗,所述KOH∶DI水的體積比為5∶100, 反應時間為20~60s;清洗;刻蝕;PECVD;絲網印刷;燒結測試。本發明在減反射層上疊加了透明導電膜層,能使復合膜層的減反射效果更佳,提升太陽電池的短路電流,提高電池效率。
聲明:
“優化晶體硅太陽能電池PN結的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)