本發明公開了碳化硅高深寬比槽刻蝕工藝優化方法,包括以下步驟:S1、采用鍍膜設備鍍膜,測量非金屬掩膜層膜厚H1、折射率N1;S2、采用加密設備加密,測量其膜厚H2、折射率N2;S3、判斷加密工藝有效性;S4、判斷S1、S2步驟是否結束;S5、采用光刻工藝制作光刻膠掩膜;S6、采用刻蝕工藝刻蝕非金屬掩膜、采用化學腐蝕工藝去除殘留光刻膠;S7、采用刻蝕工藝刻蝕碳化硅溝槽;S8、觀察碳化硅溝槽刻蝕形貌,計算選擇比Selectivity,判定刻蝕完整性。本發明用以解決非金屬掩膜作碳化硅刻蝕掩膜刻蝕選擇比小于3,碳化硅溝槽線寬損失大的問題。
聲明:
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