本發明公開了一種用于多晶硅層的研磨工藝,包含以下步驟:1)測量晶圓厚度;2)對晶圓的多晶硅層進行化學機械研磨以獲得研磨面;3)對研磨面進行RCA清洗;4)對研磨面進行拋光研磨;5)對研磨面進行CPC清洗;6)再次測量晶圓的厚度。該研磨工藝能夠有效減少多晶硅表面隨機分布的凸起缺陷。本發明同時提供一種使用上述研磨工藝制備的晶圓。
聲明:
“用于多晶硅層的研磨工藝及晶圓” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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