本發明涉及晶體硅太陽能電池化學腐蝕和清洗技術領域,尤其涉及一種精確配制和實時監控氧化物刻蝕緩沖液濃度的方法,其在清洗槽內設置有PH測試儀,在配制氧化物刻蝕緩沖液時,可通過PH測試儀反饋的PH值來控制中轉槽與清洗槽之間閥門的開閉,能精確控制配比,改善并修正了純手動配比出現的偏差;另外,在硅片清洗時,可通過PH測試儀實時監控清洗槽中氧化物刻蝕緩沖液的濃度變化,能及時發現異常,預防了由氧化物刻蝕緩沖液濃度偏移導致的硅片表面氧化層清洗不盡,有效提升和穩定了電池性能。
聲明:
“精確配制和實時監控氧化物刻蝕緩沖液濃度的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)