本申請提供了一種芯片的加工方法,涉及半導體器件處理技術領域。本申請實施例提供的芯片加工方法,通過對印制電路板上的芯片進行調平、初次減薄和二次減薄等步驟后,可以將芯片的厚度減薄至滿足地面單粒子效應測試的厚度,通過這樣的物理減薄,避免先減薄后焊接的操作流程中,重新焊接芯片帶來的芯片變形等情況,同時避免了化學減薄過程中很容易出現的過腐蝕或腐蝕不足的情況。即使使用能量交底的低能重離子,也可以對本申請中減薄后的芯片進行單粒子效應測試,降低了單粒子效應測試中對重離子加速器的能量要求。
聲明:
“芯片的加工方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)