本發明提供一種用于硬遮罩的空白遮罩及使用所述空白遮罩的光掩膜。在所述空白遮罩中,通過適當地控制硬膜中的氮含量及碳含量來形成硬膜,以減小在執行蝕刻工藝時所造成的臨界尺寸的偏差。通過增大遮光膜中的金屬含量及減小抗反射膜中的金屬含量來形成具有薄的厚度的金屬膜。因此,可提高金屬膜的分辨率、圖案保真度及耐化學性。此外,金屬膜及硬膜被形成為使其間的反射率反差高,從而能夠容易地檢驗所述硬膜。因此,所述用于硬遮罩的空白遮罩可應用于動態隨機訪問存儲器(DRAM)、快閃存儲器、或微處理單元(MPU),以具有32nm或以下的半節距且尤其是具有22nm或以下的臨界尺寸。
聲明:
“空白遮罩及使用所述空白遮罩的光掩膜” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)