本發明公開了N?Si基板的拋光工藝,包括如下步驟:A、粗拋光;B、精拋光;C、化學機械拋光;D、對N?Si基板進行進行切割;E、將基板放置于裝有丙酮溶液的燒杯中;F、將基板放置于裝有甲醇溶液的燒杯中;G、將N?Si基板放置于裝有去離子水的燒杯中;H、檢查基板表面是否有殘留物;I、使用氮氣將基板表面吹干,放置烤箱中烘烤10分鐘,即完成拋光工藝。本發明中,采用PH為9.5,濃度為15%,粒徑為30nm的硅溶液,以H2O2和硅溶液比為1:10的比例范圍加入H2O2,進行混合攪拌得到的溶液作為拋光液進行拋光,控制拋光機的壓力為2g/cm2,拋光盤轉速為60rpm,拋光時間在1.2小時,實現對于基板的進一步精準拋光,增加拋光的平滑度。
聲明:
“N-Si基板的拋光工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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