本公開涉及再生PECVD設備或DRY ETCH設備腔體中的構件的方法,該方法包括以下連續步驟:(a)對所述構件的表面進行噴砂處理;(b)用濃度為40?100g/L的無機酸溶液清洗所述構件的表面;(c)檢查所述構件的表面;(d)對所述構件的表面進行激光定點清洗;(e)對所述構件的表面進行超聲波清洗;(f)對所述構件的表面進行研磨處理;(g)對所述構件的表面進行噴砂處理;(h)使用干冰對所述構件的表面進行清洗;(i)用酸性或堿性溶液對所述構件的表面進行化學刻蝕;(j)對所述構件的表面進行超聲波清洗;(k)對所述構件的表面進行高壓清洗;以及(l)干燥所述構件的表面。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)