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半導體集成電路器件及其制造方法

1088   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 08:28:33
在當前LSI或者半導體集成電路器件制造工藝中,在組裝器件的步驟(比如樹脂密封步驟)之后通常為在高溫度(比如近似范圍從85℃至130℃)和高濕度(比如約為80%RH)的環境中的電壓施加測試(高溫度和高濕度測試)。對于該測試,本發明的發明人在高溫度和高濕度測試期間發現作為抗反射膜的氮化鈦膜從上方膜出現分離以及在施加有正電壓的基于鋁的鍵合焊盤的上表面的邊緣部分在氮化鈦膜中生成裂縫這一現象,該現象歸因于由潮氣經過密封樹脂等侵入生成氮化鈦膜的氧化和膨脹引起的電化學反應。本申請的一項發明在于在基于鋁的鍵合焊盤的外圍區域以環或者縫形狀去除焊盤之上的氮化鈦膜。
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