本發明提供一種SiC外延層的制備方法及裝置,其中制備方法包括以下步驟:提供一SiC襯底,并將SiC襯底放入一反應腔室中;向反應腔室通入反應氣體及摻雜氣體,使反應氣體及摻雜氣體吹向SiC襯底表面,且反應氣體及摻雜氣體的氣流方向垂直于SiC襯底表面;加熱SiC襯底,并采用化學氣相沉積法在SiC襯底表面生長SiC外延層;采用光波監測系統監測正在生長的SiC外延層的摻雜濃度,并根據監測到的摻雜濃度控制通入的摻雜氣體的氣體流量。本發明將反應氣體及摻雜氣體垂直吹向SiC襯底表面,并可采用光波監測系統實時監測摻雜濃度,從而在所述SiC襯底表面獲得厚度均勻性及摻雜濃度均勻性均較高的SiC外延層,實現對摻雜濃度的精確控制,獲得高產率、高性能的SiC外延層。
聲明:
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