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半導體裝置、半導體結構的形成方法

1125   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 08:23:07
一種半導體裝置、半導體結構的形成方法,其中所述半導體結構的形成方法,包括:提供半導體襯底,在所述半導體襯底上形成介質層;采用化學機械研磨工藝平坦化所述介質層;進行測量步驟,測量平坦化后的介質層厚度;判斷測量的介質層厚度是否達到目標厚度,若平坦化后的介質層的厚度未達到目標厚度,獲得測量的介質層的厚度與目標厚度的差異值,并基于該差異值進行沉積步驟,在平坦化后的介質層上形成第一補償介質層;若平坦化后的介質層的厚度達到目標厚度,則結束。本發明的方法通過自動測量和反饋的方式形成第一介質補償層,提高了形成的介質層厚度的精度。
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