一種半導體裝置、半導體結構的形成方法,其中所述半導體結構的形成方法,包括:提供半導體襯底,在所述半導體襯底上形成介質層;采用化學機械研磨工藝平坦化所述介質層;進行測量步驟,測量平坦化后的介質層厚度;判斷測量的介質層厚度是否達到目標厚度,若平坦化后的介質層的厚度未達到目標厚度,獲得測量的介質層的厚度與目標厚度的差異值,并基于該差異值進行沉積步驟,在平坦化后的介質層上形成第一補償介質層;若平坦化后的介質層的厚度達到目標厚度,則結束。本發明的方法通過自動測量和反饋的方式形成第一介質補償層,提高了形成的介質層厚度的精度。
聲明:
“半導體裝置、半導體結構的形成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)