本發明公開一種零歐姆柱狀電阻的制備方法,包括以下步驟:S1、采用化學鍍鎳工藝,在陶瓷基體表面鍍制內電阻層,使內電阻層阻值小于1Ω;S2、在陶瓷基體兩端壓接帽蓋;S3、采用電鍍鎳工藝,在內電阻層表面鍍制外電阻層,外電阻層與內電阻層共同構成零歐姆柱狀電阻的電阻膜,使電阻膜的阻值小于0.05Ω;S4、在外電阻層表面涂覆絕緣層;S5、在帽蓋表面電鍍錫層,得到所述零歐姆柱狀電阻;本發明結合化學鍍鎳工藝與電鍍鎳工藝,可以快速使鎳層厚度增加,使得外電阻層與內電阻層共同構成的電阻膜阻值最低可以做到0.01~0.03Ω,可以完全滿足零歐姆電阻測試小于0.05Ω的要求,且工藝簡單,成本低廉。
聲明:
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