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二維過渡金屬硫族化合物晶體及其制備方法和用途

870   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 08:23:05
本發明涉及一種二維過渡金屬硫族化合物晶體及其制備方法和用途,所述制備方法包括如下步驟:(1)在加熱裝置中,沿著氣流方向依次放置硫族單質源和過渡金屬氧化物源;所述過渡金屬氧化物源的表面覆蓋有分子篩;所述過渡金屬氧化物源的上方放置有生長基底;(2)向所述加熱裝置中通入保護性氣體,升溫至所述過渡金屬氧化物源的溫度達到化學氣相沉積溫度、硫族單質源的溫度達到單質揮發溫度,進行化學氣相沉積,得到所述二維過渡金屬硫族化合物晶體。通過本發明的方法能夠制備得到大面積、均勻的單層或多層二維過渡金屬硫族化合物晶體,能夠用于偏振光電探測或拓撲場效應晶體管。
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