本發明公開了一種NiCo2O4@Ni?Co?S納米片陣列核殼結構材料的制備方法,用于解決現有方法制備的NiCo2O4基復合材料性能差的技術問題。技術方案是將在集流體泡沫鎳上長有NiCo2O4納米片陣列的基底置于Ni(NO3)2·6H2O、Co(NO3)2·6H2O和硫脲混合溶液中,在三電極體系下進行電化學沉積反應,在泡沫鎳上生成核殼結構NiCo2O4@Ni?Co?S納米片陣列。經電化學性能測試,本發明制備的復合電極材料在電流密度為1A?g?1時質量比電容高達2610.6F?g?1,在20A?g?1時倍率為89.0%,在25mV?s?1掃描速率下,5000次循環的比電容保持率為88.21%。
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