本發明公開了一種超電容用金屬離子摻雜花狀MnO2納米片及其制備方法,采用化學沉淀的方法通過摻雜金屬離子引導制備納米片自組裝花狀的MnO2,其片層厚度為3~5nm;制備過程為:將濃度比為1:1的硫酸錳和過硫酸銨混合水溶液置于超聲恒溫水浴環境中,同時向混合溶液中勻速滴加濃度為0.001~0.2mol/L的金屬鹽溶液,隨后繼續反應0.5~3h。該方法制備流程簡單、成本低廉,獲得納米片層自組裝而成的花狀形貌顯著增大電極材料比表面積,同時有利于電解質離子在電極材料體相中的擴散,使其具有優異的電化學性能。掃描速率50mV/s時,測得比電容值可達303.6F/g,阻抗為4.2Ω。
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