一種半導體芯片,包含至少一物理層,通過將位于需要進行化學機械拋光的物理層表面的量測結構側壁制備成傾斜狀,使其剖面呈梯形,來降低化學機械拋光過程中缺陷顆粒在側壁處的沉積量和清洗難度。傾斜側壁的引入,使得清洗劑更容易進入到側壁缺陷顆粒沉積處發揮作用,且在清洗過程中缺陷顆粒受到豎直方向阻力較小,可更容易的順著傾斜的側壁被水流帶走或用毛刷刷走。該結構簡單便利,不提高任何工藝從本,有效提高了晶圓表面清洗的質量,徹底清除化學機械拋光殘留的缺陷顆粒,提高后續光刻等工藝的精度,使器件結構的尺寸精度及器件性能均得到更好的保障。
聲明:
“半導體芯片” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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