一種Sb2(Sex, S1-x)3合金薄膜及其制備方法,屬于半導體材料與器件制備領域,解決現有Sb2Se3和Sb2S3薄膜禁帶寬度和能帶位置固定的問題,以實現禁帶寬度和能帶位置的連續可調,得到禁帶寬度和能帶位置更加合適的無機半導體材料。本發明的Sb2(Sex, S1-x)3合金薄膜,由Sb2(Sey, S1-y)3合金粉末作為蒸發源或者Sb2Se3粉末和Sb2S3粉末作為蒸發源,通過近空間升華法在襯底上制得,其化學表達式為Sb2(Sex, S1-x)3,其厚度小于或等于3μm。所述Sb2(Sex, S1-x)3合金薄膜的制備方法,包括制備蒸發源步驟和蒸發沉積合金薄膜步驟。本發明制備工藝簡單、沉積速率高、生產成本低,制備出來的合金薄膜均勻致密、結晶度高,其禁帶寬度在1.20eV到1.70eV之間連續可調,可用于制備合金薄膜太陽能電池、光電探測器等光電器件。
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